CXMT İçin Sırra Gizlenmiş Yol: Samsung’un 10nm DRAM Casusluğu Davası
Seul Merkez Bölge Savcılığı’nın yürüttüğü soruşturmada, Samsung bünyesinde görev yapan eski çalışanlar ile birlikte toplam 10 kişinin, Çinli üretici ChangXin Memory Technologies (CXMT) adına kritik 10 nanometre sınıfı DRAM bellek teknolojisini sızdırdığı gerekçesiyle tutuklandığı bildirildi. Bellek sektöründe ajan skandalı başlığı altında ilerleyen dava kapsamında, aralarında eski Samsung yöneticilerinin de bulunduğu kişilerden 5’i tutuklu olarak, diğer 5’i ise tutuksuz olarak yargılanıyor.
Sızıntının boyutu, Samsung’a doğrudan yaklaşık 3,46 milyar dolar değerinde zarar verdiği ve bütünüyle Güney Kore ekonomisine onlarca trilyon wonluk kayıp oluşturduğu yönünde incelemelerle ortaya kondu. Olayların temelleri CXMT’nin 2016 yılında kurulmasına kadar uzanıyor. Şirket, kuruluş aşamasında Samsung’da üst düzey yöneticilik yapmış bir ismi AR-GE biriminin başına getirerek işe başladı. Ardından bu yönetici ile birlikte çalıştıkları eski Samsung araştırmacıları, başka bir Samsung çalışanı aracılığıyla 18nm DRAM üretim süreçlerine ait gizli verileri ele geçirdi.
Ele geçirilen teknik veriler, CXMT’nin DRAM geliştirme faaliyetlerinde yasa dışı şekilde kullanıldı. Savcılık, sızıntıyı yapan bir çalışanın üretim sürecine ait yüzlerce adımı manuel olarak kopyaladığını ve Çinli ekibe aktardığını net bir şekilde belgeledi. Şüphelilerin izlerini kaybettirmek amacıyla profesyonel yöntemlere başvurduğu anlaşıldı: eski bir Samsung yöneticisinin, izleri belirsizleştirmek için sürekli adres değiştirdiği ve ekip arasında şifreli bir iletişim dili kurduğu tespit edildi.
2018 ile 2023 yılları arasında yürütülen faaliyetler sonucunda Samsung’un özgün teknolojileri Çin’deki üretim ekipmanlarına entegre edildi ve CXMT’nin 2023 itibarıyla 10nm sınıfı bellek üretimine geçişi sağlandı.
