Rusya’da EUV Makine Yol Haritası: 10 nm Altı Üretime Doğru Hibrit Lazer ve Ru/Be Aynalarla Yeni Bir Yol
Rusya Bilimler Akademisi’ne bağlı Mikroyapı Fiziği Enstitüsü, 11,2 nanometre dalga boyunda çalışan yerli aşırı ultraviyole litografi cihazları için uzun vadeli bir yol haritası paylaşıyor. Geçen Aralık ayında yayımlanan bilgilere dayanarak geliştirilen plan, 2026’da 40 nm üretim teknolojisiyle başlatılacak ve 2037’ye kadar 10 nm ve altı süreçlere uzanan bir kademeli ilerleyiş öngörüyor.
Önerilen sistemler, mevcut ASML mimarisini taklit etmek yerine tamamen farklı bir teknoloji seti kullanacak şekilde tasarlandı: hibrit katı hâl lazerleri, ksenon plazma tabanlı ışık kaynakları ve 11,2 nm dalga boyunu yansıtabilen Ru/Be aynalar. Ksenon kaynağı, fotomaskeleri aşındıran kalıntı üretimini minimuma indirerek bakım ihtiyacını önemli ölçüde azaltmayı hedefliyor. Ayrıca, DUV makinelerine kıyasla yüksek basınçlı sıvı daldırma ve çoklu desenleme gibi karmaşık süreçlere ihtiyaç duyulmayacağı için sistemin daha sade bir yapıda kalması amaçlanıyor.
Yol haritası üç ana döneme ayrılıyor:
- 2026-2028: 40 nm üretime uygun, iki aynalı optik düzeneğe sahip bir litografi makinesi. Hizalama hassasiyeti 10 nm, 3 x 3 mm tarama alanı ve saatte beşten fazla wafer işleme kapasitesi hedefleniyor.
- 2029-2032: 28 nm (teorik olarak 14 nm’ye kadar) üretime yönelik, dört aynalı optik sistemli tarayıcı. 5 nm hizalama doğruluğu, 26 x 0,5 mm tarama alanı ve saatte 50’den fazla wafer işleme kapasitesi amaçlanıyor.
- 2033-2036: 10 nm altı üretimi hedefleyen altı aynalı sistem. 2 nm hizalama toleransı, 26 x 2 mm tarama alanı ve saatte 100’den fazla wafer işleme kapasitesi sunması planlanıyor.
Çözünürlük açısından bu makineler, 65 nm ile 9 nm arasında değişen bir aralıkta çalışabilecek şekilde tasarlanıyor. Böylece 2025-2027 döneminde kritik katmanlar için gerekli seviyelere ulaşılabileceği öne sürülüyor. Her yeni nesil, daha yüksek optik hassasiyet ve tarama verimliliği vaat ederken, Twinscan NXE ve EXE serilerine göre daha düşük maliyetli bir çözüm sunması bekleniyor. Geliştiriciler, EUV’nin bazı eski düğümler için beklenmedik avantajlar sağlayabileceğini belirtse de, 11,2 nm dalga boyunda lazer kullanmanın getirdiği zorluklar (aydınlatıcı aynalar, bunların parlatılması için özel teknikler, yeni optikler, özel ışık kaynakları, güç üniteleri, rezist malzemeler vb.) detaylı olarak ele alınmıyor. Bu dalga boyunun sektörde kabul edilen standartların dışında olması, ek bir risk unsuru teşkil ediyor.
Genel olarak bakıldığında bu yol haritası, Rusya’nın geleneksel EUV sınırlamalarını aşarak kendi kendine yetme stratejisini pekiştirme amacı taşıyor. Ancak, planın uygulanabilirliği konusunda belirsizlikler var; çünkü sektörün geri kalanının izlediği yolu doğrudan atlayıp daha ileri adımlara odaklandığı iddiası dikkat çekiyor. Bu sistemlerin amacı, devasa çip fabrikaları yerine daha küçük üreticilere maliyet açısından uygun bir alternatif sunmaktır. Plan tam olarak hayata geçirildiğinde, hem iç piyasa hem de uluslararası kullanım için sermaye ve işletme maliyetlerinde önemli tasarruflar sağlayarak gelişmiş çip üretimini mümkün kılabilir.
